锗的应用介绍

锗，理论密度5.4g/cm3，蒸发温度1360-1520℃，938℃，2833℃，可用电子枪、钨坩埚、钼坩埚、钽舟蒸发。制备薄膜前需要预熔，基片温度范围100-200℃，典型使用的薄膜透光范围1.7-2.3，折射率4.3-4.4 @ 550nm， 4-4.10@10μm。锗是红外应用的高折射率材料，波段下具有较低的吸收性。

锗具备多方面的特殊性质，在半导体、航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、红外光学、太阳能电池、化学催化剂、生物医学等领域都有广泛而重要的应用，是一种重要的战略资源。在电子工业中，在合金预处理中，在光学工业上，还可以作为催化剂。高纯度的锗是半导体材料。从高纯度的氧化锗还原，再经熔炼可提取而得。掺有微量特定杂质的锗单晶，可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗的化合物用于制造荧光板及各种高折光率的玻璃。单质锗的折射系数很高，只对红外光透明，而对可见光和紫外光不透明，所以红外夜视仪等军用观察仪采用纯锗制作透镜。

爱特斯光学专业生产锗颗粒，纯度5N以上，常规尺寸1-3mm, 3-5mm,可定制。