真空镀膜相关术语

真空镀膜工艺术语

1、真空溅射vacuum sputtering：在真空中，惰性气体离子从靶表面上轰击出原子（分子）或原子团的过程。

1.1、反应性真空溅射reactive vacuum sputtering：通过与气体的反应获得理想化学成分的膜层材料的真空溅射。

1.2、偏压溅射bias sputtering：在溅射过程中，将偏压施加于基片以及膜层的溅射。

1.3、直流二级溅射direct current diode sputtering：通过二个电极间的直流电压，使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射。

1.4、非对称性交流溅射asymmetric alternate current sputtering：通过二个电极间的非对称性交流电压，使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极。

1.5、高频二极溅射high frequency diode sputtering：通过二个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射。

1.6、热阴极直流溅射（三极型溅射）hot cathode direct current sputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电所产生的离子，由在阳极和阴极（靶）之间所施加的电压加速而轰击靶的溅射。

1.7、热阴极高频溅射（三极型溅射）hot cathode high frequency sputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电产生的离子，在靶表面负电位的作用下加速而轰击靶的溅射。

1.8、离子束溅射ion beam sputtering：利用特殊的离子源获得的离子束使靶的溅射。

1.9、辉光放电清洗glow discharge cleaning：利用辉光放电原理，使基片以及膜层表面经受气体放电轰击的清洗过程。

2、物理气相沉积(PVD) physical vapor deposition：在真空状态下，镀膜材料经蒸发或溅射等物理方法气化，沉积到基片上的一种制取膜层的方法。

3、化学气相沉积(CVD) chemical vapor deposition：一定化学配比的反应气体，在特定激活条件下(通常是一定高的温度)，通过气相化学反应生成新的膜层材料沉积到基片上制取膜层的一种方法。

4、磁控溅射magnetron sputtering：借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，来增强电离效率，增加离子密度和能量，因而可在低电压，大电流下取得很高溅射速率。

5、等离子体化学气相沉积( PCVD) plasma chemistry vapor deposition：通过放电产生的等离子体促进气相化学反应，在低温下，在基片上制取膜层的一种方法。

6、空心阴极离子镀(HCD) hollow cathode discharge deposition：利用空心阴极发射大量的电子束，使坩埚内镀膜材料蒸发并电离，在基片上的负偏压作用下，离子具有较大能量，沉积在基片表面上的一种镀膜方法。

7、电弧离子镀arc discharge deposition：以镀膜材料作为靶极，借助于触发装置，使靶表面产生弧光放电，镀膜材料在电弧作用下，产生无熔池蒸发并沉积在基片上的一种真空镀膜方法。

真空镀膜专用部件术语

1、镀膜室coating chamber：真空镀膜设备中实施实际镀膜过程的部件

2、蒸发器装置evaporator device：真空镀膜设备中包括蒸发器和全部为其工作所需要的装置（例如电能供给、供料和冷却装置等）在内的部件。

3、蒸发器evaporator：蒸发直接在其内进行蒸发的装置，例如小舟形蒸发器，坩埚，灯丝，加热板，加热棒，螺旋线圈等等，必要时还包括蒸发材料本身。

4、直接加热式蒸发器evaporator by direct heat：蒸发材料本身被加热的蒸发器。

5、间接加热式蒸发器evaporator by indirect heat：蒸发材料通过热传导或热辐射被加热的蒸发器。

6、蒸发场evaporation field：由数个排列的蒸发器加热相同蒸发材料形成的场。

7、溅射装置sputtering device：包括靶和溅射所必要的辅助装置（例如供电装置，气体导入装置等）在内的真空溅射设备的部件。

8、靶target：用粒子轰击的面。本标准中靶的意义就是溅射装置中由溅射材料所组成的电极。

9、挡板shutter：用来在时间上和（或）空间上限制镀膜并借此能达到一定膜厚分布的装置。挡板可以是固定的也可以是活动的。

10、时控挡板timing shutter：在时间上能用来限制镀膜，因此从镀膜的开始、中断到结束都能按规定时刻进行的装置。

11、掩膜mask：用来遮盖部分基片,在空间上能限制镀膜的装置。

12、基片支架substrate holder：可直接夹持基片的装置，例如夹持装置,框架和类似的夹持器具。

13、夹紧装置clamp：在镀膜设备中用或不用基片支架支承一个基片或几个基片的装置，例如夹盘，夹鼓，球形夹罩，夹篮等。夹紧装置可以是固定的或活动的(旋转架,行星齿轮系等)。

14、换向装置reversing device：在真空镀膜设备中，不打开设备能将基片、试验玻璃或掩膜放到理想位置上的装置（基片换向器，试验玻璃换向器，掩膜换向器。）

15、基片加热装置substrate heating device：在真空镀膜设备中，通过加热能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置。

16、基片冷却装置substrate colding device：在真空镀膜设备中，通过冷却能使一个基片或几个基片达到理想温度的装置。